R.F.溅射Ba0.5Sr0.5TiO3/RuO2薄膜及其介电特性研究

• 作者: 刘江华 张柏顺 江娟 章天金
• 来源期刊: 光电子技术与信息
• 学科: 工学
• 关键词: BST薄膜 射频溅射 底电极 结晶度 介电特性
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与元器件
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: O481.1|TN305.92
• 字数: 2427字
• 语种: 中文

摘要

用R.F.磁控溅射法在p-Si(100)衬底上沉积Ba0.5Sr0.5TiO3/RuO2异质结,BST薄膜的晶相和表面形貌用XRD和SEM分析,表明在衬底温度为550℃时,薄膜的结晶度高、表面粗糙、晶粒较大.电容器InGa/BST/RuO2的介电特性由ε-V特性和I-V特性描述.薄膜在零偏压下ε=230、tgδ≈0.03.低电场条件下,薄膜的漏电流随电压呈饱和特性,属电子跳跃传导,且通过改善薄膜的结晶度可减小该漏电流.高电场条件下,漏电流符合肖特基发射规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	章天金	湖北大学物理学与电子技术学院	82	321	11.0	14.0
2	张柏顺	湖北大学物理学与电子技术学院	24	152	7.0	11.0
3	刘江华	湖北大学物理学与电子技术学院	9	98	7.0	9.0
4	江娟	湖北大学物理学与电子技术学院	32	130	7.0	10.0