含铝的富硅二氧化硅薄膜的发光特性及结构

• 作者: 严勇健 吴雪梅 成珏飞 李群 诸葛兰剑
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铝 掺杂 富硅二氧化硅 光致发光
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 薄膜技术
• 页码范围: 42-46
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2482字
• 语种: 中文

摘要

采用双离子束共溅射技术制备出掺铝的富硅二氧化硅复合薄膜(AlSiO),采用荧光分光光度计对样品进行PL测试表明:AlSiO复合膜共有三个发光峰,分别在370 nm、410 nm、510 nm处.发光峰的位置随铝含量的变化基本上没有改变,峰强随铝含量有变化,且510 nm处的峰强随铝含量增加而增强.PLE结果表明:370 nm和410 nm的PL峰与样品中的氧空位缺陷有关,而510 nm的PL峰则是由于铝的掺入改变了样品中的缺陷状态所致,是Al、Si、O共同而复杂的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成珏飞	苏州大学物理系	5	4	2.0	2.0
2	吴雪梅	苏州大学物理系	72	331	9.0	13.0
3	诸葛兰剑	苏州大学物理系	59	199	8.0	11.0
4	李群	苏州大学物理系	13	16	2.0	3.0
6	严勇健	苏州大学物理系	5	2	1.0	1.0