碳化硅薄膜生长技术的研究进展

• 作者: 安霞 李亚平 薛成山
• 来源期刊: 山东师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 薄膜生长 化学气相淀积 溅射
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 37-40
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 3821字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4748.2004.02.012

摘要

介绍了国际上近年来碳化硅薄膜的研究情况,碳化硅外延生长大多采用溅射法(sputting)、化学气相淀积(CVD)和分子束外延(MBE).对生长工艺对碳化硅薄膜特性的影响进行了对比研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛成山	山东师范大学物理与电子科学学院	117	476	11.0	13.0
2	李亚平	山东商业职业技术学院计算机与电子技术学系	13	61	6.0	7.0
3	安霞	山东师范大学物理与电子科学学院	6	48	5.0	6.0