新型声表面波器件中氧化锌薄膜的研制

• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 c轴取向 声表面波
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 7-13,23
• 页数: 8页
• 分类号: O429|TN65
• 字数: 7113字
• 语种: 中文

摘要

本文采用直流磁控反应溅射法,在单晶Si(110),Al/Si,Diamond/Si三种衬底上分别生长出了高度c轴取向的ZnO薄膜.此薄膜具有高质量的纳米级结晶度(10nm～30nm),良好的表面平整度(低于10nm),高于107Ω·cm的电阻率及较高的应力承载性,很好的满足了薄膜声表面波(SAW)器件制备及降低损耗的需要.通过改变工作气压,氩氧比等工艺参数,较系统地探索了ZnO薄膜的制备条件.采用多种分析手段,如X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),高能反射式电子衍射(RHEED),原子力显微镜(AFM)等对薄膜的微观结构及结晶品质进行了测试分析,并对薄膜的电学性能及机械性能进行了考察.