Cl2/Ar/BCl3感应耦合等离子体GaN/Al0.28Ga0.72N的非选择性刻蚀

• 作者: 吴桐 吴震 孙长征 罗毅 薛松 郝智彪 郭文平 韩彦军
• 来源期刊: 中国科学E辑
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN GaN ICP CI2/Ar/BCl3 非选择性刻蚀
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 页码范围: 345-352
• 页数: 8页
• 分类号: TN9
• 字数: 5179字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-9275.2004.03.012

摘要

利用Cl2/Ar/BCl3感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对GaN与Al0.28Ga0.72N材料之间的非选择性刻蚀和刻蚀以后GaN/Al0 28Ga0.72N异质结的表面物理特性进行了研究.实验表明,优化等离子体中BCl3的含量(20%～60%),提高ICP功率和直流偏压,降低反应室压强有利于获得非选择性刻蚀.而GaN/Al0 28Ga0 72N异质结刻蚀后的表面形貌与等离子体中的化学组分、反应室压强有密切的关系.在Cl2/Ar(4:1)中加入20%BCl3可以在较高的刻蚀速率条件下获得GaN和Al0.28Ga0.72N之间的非选择性刻蚀,并将GaN/Al0.28Ga0.72N异质结刻蚀后的表面均方根粗糙度由10.622 am降低至0.495 am,优于未刻蚀的GaN/Al0.28Ga0.72N异质结的表面.AES分析表明,在刻蚀过程中从AlGaN的表面有效除去氧对获得非选择性刻蚀和光滑的刻蚀表面是至关重要的.