高增益偏振不灵敏InGaAs/InP体材料半导体光放大器

• 作者: 周帆 张瑞英 朱洪亮 王书荣 王圩 田慧良 赵玲娟
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 半导体光放大器 张应变 偏振不灵敏 信号增益 饱和输出功率
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 光通信及其元器件
• 页码范围: 1381-1384
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2743字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2004.11.022

摘要

采用三元InGaAs体材料为有源区,通过直接在InGaAs体材料中引入0.20%张应变来加强TM模的增益,研制了一种适合于作波长变换器的偏振不灵敏半导体光放大器(SOA).在低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)的过程中,只需调节三甲基Ga的源流量便可获得所要求的张应变量.制作的半导体光放大器在200 mA的注入电流下,获得了50nm宽的3 dB光带宽和小于0.5dB的增益抖动;重要的是,半导体光放大器能在较大的电流和波长范围里实现小于1.1dB的偏振灵敏度.对于1.55μm波长的信号光,在200 mA的偏置下,其偏振灵敏度小于1 dB,同时获得了大于14dB光纤到光纤的增益,3 dBm的饱和输出功率和大于30 dB的芯片增益.用作波长变换器,可获得较高的波长变换效率.进一步提高半导体光放大器与光纤的耦合效率,可得到性能更佳的半导体光放大器.