光学参数配置对ArF光刻性能影响研究

• 作者: 张飞 徐彧 李艳秋 黄国胜
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 光刻 仿真 ArF光刻机 光学系统
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 专题报道(光刻技术与设备)
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: TN350.7
• 字数: 1741字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2004.02.008

摘要

针对分辨力100 nm的ArF光刻机,在环形照明和四极照明下,对4种曝光图形结构光刻性能进行了仿真研究.仿真结果表明,如果光刻物镜在加工装调后的光波像差为6 nm,杂散光为2%,工件台运动标准偏差为8 nm,曝光量控制在10%,△CD≤±10%CD,利用四级照明,可以在较大的焦深范围内(DOF≥0.4～0.5 μm)实现满足器件要求的100 nm密集线条、半密集线条的光刻成像.当曝光剂量更精确控制到7%,可以在较大的焦深范围内(DOF≥0.4～0.5 μm)实现满足器件要求的100nm孤立线条的光刻成像.