利用P-MBE在Si(111)衬底上生长氧化锌薄膜及其光学性质的研究

• 作者: 刘益春 吕有明 张吉英 李炳辉 梁红伟 申德振 范希武 颜建锋
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO 等离子体辅助分子束外延 光致发光 吸附
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 103-106
• 页数: 4页
• 分类号: O782.9|TN304.21
• 字数: 3146字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2004.02.006

摘要

在Si(111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)生长氧化锌(ZnO)薄膜,研究了在不同衬底生长温度下(350～750℃)制备的ZnO薄膜的结构和光学性质.随着衬底温度的升高,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大,衬底温度为550℃样品的结构及光学性质都比较好,这表明550℃为在Si(111)衬底上生长ZnO薄膜的最佳衬底温度;同时,我们还通过550℃样品的变温光致发光谱(81～300K)研究了ZnO薄膜室温紫外发光峰的来源,证明其来源于自由激子发射.