衬底温度对氧化锌薄膜电学性质的影响

• 作者: 李修善 潘志峰 袁一方
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌薄膜 电阻率 击穿场强
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 光学薄膜
• 页码范围: 11-13
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4
• 字数: 1254字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-3392.2004.05.004

摘要

氧化锌是一种性能良好的半导体材料,可以用作薄膜场发射阴极中的电子传输层材料.主要研究了用磁控溅射方法在不同衬底温度下生长ZnO薄膜的电学特性,分析了ZnO薄膜的电阻率和击穿场强随温度的变化关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁一方	上海理工大学光电学院	80	554	14.0	20.0
2	李修善	曲阜师范大学生命科学学院	26	71	5.0	7.0
3	潘志峰	上海理工大学光电学院	31	148	7.0	10.0