多晶硅应变式传感器

• 来源期刊: 国外传感技术
• 学科: 工学
• 关键词: 应变式传感器 压阻效应 多晶硅 电压 偏移 剪切 发现 应变状态 电阻 测量
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 168
• 页数: 1页
• 分类号: TN304

摘要

当硅处于应变状态时，不仅电阻发生变化，而且还会产生与电流方向垂直的电压，与霍尔测量时所发现的情况大致相同。产生这种偏移电压的机理是剪切压阻效应。