几种新型非易失性存储器

• 作者: 李东 王耘波 郭冬云
• 来源期刊: 电子产品世界
• 关键词: 非易失性存储器 FeRAM MRAM OUM
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: IC与元器件
• 页码范围: 75-77
• 页数: 3页
• 字数: 2251字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-5517.2004.03.025

摘要

本文简单介绍了铁电存储器、磁性随机存储器和相变存储器这三种比较有发展潜力存储器的原理、研究进展及存在的问题等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李东	华中科技大学电子科学与技术系	35	598	13.0	24.0
2	王耘波	华中科技大学电子科学与技术系	68	398	10.0	16.0
3	郭冬云	华中科技大学电子科学与技术系	13	163	6.0	12.0