MEMS兼容PZT压电厚膜的性能测试

• 作者: 兰慕杰 刘晓为 王蔚 霍明学
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: PZT 压电厚膜 丝网印刷 MEMS
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 现代光学仪器与精密机械
• 页码范围: 72-75
• 页数: 4页
• 分类号: TH166
• 字数: 1866字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2004.z1.016

摘要

丝网印刷法制备PZT厚膜工艺与MEMS技术兼容.通过调整PZT印刷浆料粘度,并采取多次套印、多次退火及合理的烧结工艺,在硅膜片上获得了较致密的PZT厚膜.采用悬臂梁方法对制备的Ag/PZT/SiO2/n+Si结构复合压电厚膜进行了直接测试,结果表明PZT压电厚膜的压电常数d31可达70×10-12m/V,以此方法制备的压电厚膜适合作为MEMS执行器的微驱动元件.