Au/Au-Be与GaP欧姆接触的表面分析

• 作者: 康俊勇 徐富春 林秀华
• 来源期刊: 厦门大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: Au-Be/GaP接触 界面 表面分析 热处理
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 624-627
• 页数: 4页
• 分类号: O484.5
• 字数: 2865字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2004.05.010

摘要

用表面方法(SEM,SAM,XPS)研究了在不同温度热处理后Au/Au-Be与GaP接触的特性.结果显示,Au-Be与GaP接触的界面特性强烈地依赖于热处理温度.经550℃热处理过的界面均匀、平整,其I-V特性斜率大,接触电阻小;经较高温度(580℃)热处理过的表面有结晶团状物产生,晶粒变粗,接触电阻增大.AES和XPS分析表明,经540～550℃温度热处理后,界面生成Au-Ga-P化合物;Be原子由表面向界面扩散,在界面处出现最大值.