基于STripFET技术的低压MOSFET

• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 品质因数 ST公司 低压 高频 电信 电容特性 技术 新颖 转换
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 页码范围: i001
• 页数: 1页
• 分类号: TN386

摘要

ST公司近日推出基于STripFET技术的低压N通道MOSFET，适用于计算机底板和电信领域内的高频转换应用。STripFET技术采用优化的版面没计和新颖的制造工艺，可改善选通电极、栅电阻和输入电容特性。提供超低品质因数，可减少传导和转换损失。