高功率半导体开关DSRD的物理特性及应用

• 来源期刊: 中国工程物理研究院科技年报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体开关 高功率输出 物理特性 应用 超宽带脉冲 高电压输出 高分辨率成像 抗干扰能力
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 208-209
• 页数: 2页
• 分类号: TN245

摘要

超宽带（UWB）脉冲具有反隐身和较强抗干扰能力，因其在目标识别与探测、高分辨率成像中而显出的优点成为国内外多年来研究的热门课题。如何使设计的超宽带脉冲源具有输出功率大、体积小、重量轻、长寿命、高可靠等优点，成为其重要的研究方向和研究内容。在超宽带脉冲源中，产生从皮秒到纳秒超宽带脉冲的关键电子元件是开关。半导体开关具有体积小、重量轻、长寿命、高可靠等特点。目前快速发展中的基于雪崩效应的雪崩晶体管组件在短时间小于10^-8S内不仅能实现几十到几百千伏的高电压输出，而且能实现兆瓦（MW）量级的高功率输出，因此这种发展中的新型高功率、高电压半导体开关DSRD在超宽带雷达中具有广泛的发展空间和应用前景。