一个描述硅原子团簇退火行为的模型

• 作者: Hideki Oka Kunihiro Suzuki 于民 张兴 王阳元 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 退火 缺陷 硅 模型
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1277-1280
• 页数: 4页
• 分类号: TN301
• 字数: 2748字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.10.016

摘要

在考虑硅原子团簇的尺寸对其俘获半径的影响的基础上提出了一个改进的模型,来描述团簇的退火行为,并给出了点缺陷的表面复合速率的表达式.为了验证此模型,给出了动力学蒙特卡洛方法的模拟结果,模拟结果与实验结果相吻合.通过表面复合速率的模拟结果和模型的对比,模型得到了验证.分析表明团簇尺寸对其退火行为有明显的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子所	120	618	12.0	20.0
3	王阳元	北京大学微电子所	78	1128	15.0	32.0
4	于民	北京大学微电子所	6	10	3.0	3.0