垂直堆垛InAs量子点的光学性质

• 作者: 小池一步 李树玮
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体材料 光致发光 垂直堆垛的InAs量子点 分子束外延(MBE)
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 光束传输与控制,材料、薄膜及元器件
• 页码范围: 443-446
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.3
• 字数: 3602字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2004.z1.148

摘要

垂直堆跺InAs量子点是用分子束外延(MBE),通过Stranski-Krastanov(S-K)方式生长.利用光致发光(PL)实验对InAs量子点进行了表征.在生长过程中使用对形状尺寸控制的方式来提高垂直堆垛InAs量子点形貌均匀性.样品的外延结构是Si掺杂GaAs衬底生长500nm的过渡层,500nm的GaAs外延层,15nm的Al0.5Ga0.5As势垒外延层,5个周期的InAs量子点生长后2单层GaAs的外延结构,50 nh的Al0.5Ga0.5As势垒外延层,最后是15 m的GaAs覆盖层.外延结构中Al0.5Ga0.5As势垒外延层对镶嵌在里面的InAs量子点有很强的量子限制作用产生量子效应.PL测量系统使用514.5 nn的缸离子激发源.发现了量子点基态光致发光峰等距离向红外方向劈裂等新的物理现象.利用光致发光通过改变势垒的宽度和掺杂情况,研究了外延结构的光致发光特性,得到二维电子气(2DEG)随势能变化局域化加强等的新结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李树玮	中山大学光电材料与技术国家重点实验室	8	39	3.0	6.0