Mn注入n型Ge单晶的磁性研究

• 作者: 刘力锋 周剑平 尹志岗 杨霏 陈诺夫
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 铁磁性 MnxGe1-x
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 电功能材料及其应用
• 页码范围: 1219-1221,1224
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.7
• 字数: 2148字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.343

摘要

利用离子注入方法,以离子能量为100keV,剂量为3×1016cm-2,室温下往n型Ge(111)单晶衬底注入Mn+离子,注入后的样品分别在400和600℃氮气氛下进行热处理.利用交变梯度样品磁强计室温下对样品进行了磁性测量,利用X射线衍射法分析了样品的结构特性,俄歇电子能谱法分析了热处理样品的组分特性.磁性测试结果表明热处理后的样品表现出室温下的铁磁性.结合样品的组分、结构特征进行磁性分析后认为样品在热处理后形成铁磁性半导体MnxGe1-x结构可能是样品表现室温铁磁性的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨霏	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	7	12	2.0	3.0
2	陈诺夫	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	33	154	6.0	11.0
6	刘力锋	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	3	0	0.0	0.0
7	尹志岗	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	9	5	1.0	1.0
8	周剑平	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	7	20	3.0	4.0