基于衬底驱动技术的亚1V与温度成正比基准源

• 作者: 朱樟明 杨银堂
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 衬底驱动 与温度成正比 低功耗 CMOS
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 367-369,391
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 1651字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2005.03.009

摘要

分析了衬底驱动MOSFET的工作原理,并对其低压特性进行了分析和仿真.基于PMOS衬底驱动和电流反馈技术,设计了亚1 V低功耗与温度成正比电压基准源.在 0.8 V电源电压、温度范围为0～100℃时,输出电压的温度系数为 0.926 mV/K,电源电流为4.5 μA.当电源电压在0.7～1.0 V变化时,室温下的输出电压约为302 mV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	朱樟明	西安电子科技大学微电子研究所	164	1318	18.0	26.0