一种1V电压工作的高精度CMOS带隙基准源

• 作者: 吴玉广 唐华 肖明
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 自偏置 PTAT 温度系数 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 技术论文
• 页码范围: 13-16
• 页数: 4页
• 分类号: TN710
• 字数: 2746字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2006.02.004

摘要

基于标准1μmCMOS工艺,针对1V供电电压,设计了一种自偏置PTAT电流产生电路和低电源、高增益的运算放大器,最终实现了低电源工作的带隙基准电路.在1V电源电压下,采用1μm CMOS工艺进行仿真,温度系数在-20～120℃范围内达到13×10-6,低频电源抑制比达到-90dB.