离子注入调制掺杂V形槽GaAs/AlGaAs单量子线光电性质

• 作者: 柏利慧 沈学础 王防震 陈张海 黄少华
• 来源期刊: 中国科学G辑
• 关键词: V形槽GaAs/AlGaAs量子线 离子注入 光致发光 偏振 磁阻
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 121-130
• 页数: 10页
• 字数: 3151字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-7275.2005.02.002

摘要

低温显微偏振光致发光谱的测量表明,经选择性As+离子注入和快速退火后,V形槽量子线表现出良好的一维量子限制效应,其光致发光呈现约63%的线性偏振度;对量子线样品的低温磁阻测量亦表明,经选择性As+离子注入和快速退火后,准一维量子线表现出良好的一维输运特性.