离子注入法Mn掺杂InAs/GaAs量子点的光磁性质

• 作者: 叶小玲 王占国 胡良均 陈涌海
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InAs/GaAs量子点 光致发光 团簇 铁磁性
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 84-87
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.7
• 字数: 2660字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.018

摘要

用离子注入法对InAs/GaAs量子点掺杂Mn离子,量子点样品经过快速退火处理后同时具有低温铁磁性和发光性能.注Mn量子点发光峰在退火后蓝移,在较高注入剂量的样品中这种由于互扩散带来的蓝移受到抑制,认为这与样品中的缺陷以及Mn聚集在量子点周围减小量子点所受的应力,同时形成的团簇阻碍了界面上原子的互扩散作用有关.Mn在盖层中形成了GaMnAs和小的Mn颗粒,表现出较好的低温铁磁性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	101	701	15.0	23.0
2	陈涌海	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	16	40	4.0	5.0
3	叶小玲	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	9	25	3.0	4.0
4	胡良均	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	2	3	1.0	1.0