二次离子质谱深度剖面分析氢化微晶硅薄膜中的氧污染

• 作者: 孙建 张晓丹 朱锋 熊绍珍 耿新华 赵颖 高艳涛 魏长春 麦耀华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 甚高频等离子体增强化学气相沉积 二次离子质谱 氧污染
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 1895-1898
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2669字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.077

摘要

运用二次离子质谱研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积制备的不同硅烷浓度和功率条件下薄膜中的氧污染情况.结果发现:薄膜中的氧含量随硅烷浓度和功率的变化而改变.制备的微晶硅薄膜,晶化程度越高薄膜中的氧含量相对越多.另外,不同本底真空中的氧污染实验结果表明:微晶硅材料中的氧含量与本底真空有很大的关系,因此要制备高质量的微晶硅材料,高的本底真空是必要条件.