退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响

• 作者: 刘益春 吕有明 张吉英 张振中 王颖 申德振 范希武
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: PECVD 光致发光 Si团簇 悬键
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: TN104.3|O484.4
• 字数: 3118字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2005.01.003

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了富硅氮化硅薄膜.利用红外吸收谱(IR)、XPS光电子能谱和光致发光谱(PL),研究了不同的退火温度对薄膜结构和发光的影响.研究发现,薄膜经退火后,在发光谱中出现一强的发光峰.当经过900 ℃退火后,随着与硅悬键有关的发光峰的消失,该强的主发光峰发生了明显的蓝移,并且有所宽化.蓝移现象源于高温退火后,在薄膜中有小尺寸的Si团簇形成.通过实验结果分析,提出薄膜的发光起因于包埋在氮化硅中的Si团簇.