富硅量不同的富硅氮化硅薄膜的光致发光研究

• 作者: 刘益春 吕有明 张吉英 张振中 王颖 申德振 范希武
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅薄膜 光致发光 Si团簇 量子限制效应
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 103-106
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3|TN104.3
• 字数: 2733字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2005.02.004

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了系列富硅量不同的富硅氮化硅薄膜,且所有样品分别经过不同温度的退火.通过X射线光电子能谱(XPS)的测试证实了薄膜中硅团簇的存在.对不同富硅量的氮化硅薄膜做了红外和光致发光的比较研究.由不同富硅量薄膜中硅团簇的尺寸变化对发光峰的影响,得出了发光来源于包埋于氮化硅薄膜中由于量子限制效应而使带隙增大了的硅团簇.