PECVD制备富硅氮化硅薄膜的工艺条件及其性质的研究

• 作者: 周炳卿 张林睿 张龙龙 高玉伟
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: PECVD 富硅氮化硅薄膜 非晶结构 光学带隙
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 757-763
• 页数: 7页
• 分类号: TK514
• 字数: 4625字
• 语种: 中文

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)以SiH4和N2为反应气体,分别在射频功率、硅烷稀释度[SiH4/N2]、衬底温度为变量的情况下制备了富硅氮化硅薄膜材料,利用X射线衍射谱(XRD)、傅里叶变换红外谱(FTIR)、紫外-可见光吸收谱(UV-Vis)对薄膜材料进行了表征,并研究了薄膜材料的微结构和晶化状况、光学特性等.实验结果表明,所沉积薄膜都为富硅的非晶氮化硅材料,改变射频功率、硅烷稀释度和衬底温度可以控制氮化硅薄膜中N元素的含量、光学带隙的大小和薄膜的折射率,并制备出最适宜富硅氮化硅薄膜,为进一步退火析出硅量子点奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周炳卿	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	45	134	6.0	8.0
2	张林睿	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	16	48	4.0	5.0
3	高玉伟	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	3	13	2.0	3.0
4	张龙龙	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	3	13	2.0	3.0