退火温度对富硅氮化硅薄膜发光特性和结构的影响

• 作者: 单文光 吴小山 张凤鸣 谢正芳
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 PECVD 光致发光 硅悬挂键 硅纳米团簇
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 780-784
• 分类号: O484.4|TN15
• 字数: 2832字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123307.0780

摘要

采用直流等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在(100)单晶硅片表面生长富硅氮化硅薄膜,研究了不同的退火温度对氮化硅薄膜发光性质和结构的影响.研究发现,随着退火温度的升高,氮化硅薄膜的发光强度逐渐减弱,发光是由缺陷能级引起的,在900℃时荧光基本消失.XPS测试表明,在N2氛围900℃下退火,氮化硅薄膜中未有硅相析出,故未表现出硅量子点的发光.FTIR测试也为PL结论提供了一定的证据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张凤鸣	南京大学光伏工程中心南京大学物理学院	17	195	5.0	13.0
2	吴小山	南京大学光伏工程中心南京大学物理学院	36	180	6.0	12.0
3	谢正芳	南京大学光伏工程中心南京大学物理学院	2	8	1.0	2.0
4	单文光	南京大学光伏工程中心南京大学物理学院	2	8	1.0	2.0