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退火温度对富硅氮化硅薄膜发光特性和结构的影响
退火温度对富硅氮化硅薄膜发光特性和结构的影响
作者:
单文光
吴小山
张凤鸣
谢正芳
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
氮化硅
PECVD
光致发光
硅悬挂键
硅纳米团簇
摘要:
采用直流等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在(100)单晶硅片表面生长富硅氮化硅薄膜,研究了不同的退火温度对氮化硅薄膜发光性质和结构的影响.研究发现,随着退火温度的升高,氮化硅薄膜的发光强度逐渐减弱,发光是由缺陷能级引起的,在900℃时荧光基本消失.XPS测试表明,在N2氛围900℃下退火,氮化硅薄膜中未有硅相析出,故未表现出硅量子点的发光.FTIR测试也为PL结论提供了一定的证据.
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篇名
退火温度对富硅氮化硅薄膜发光特性和结构的影响
来源期刊
发光学报
学科
工学
关键词
氮化硅
PECVD
光致发光
硅悬挂键
硅纳米团簇
年,卷(期)
2012,(7)
所属期刊栏目
器件制备及器件物理
研究方向
页码范围
780-784
页数
分类号
O484.4|TN15
字数
2832字
语种
中文
DOI
10.3788/fgxb20123307.0780
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
张凤鸣
南京大学光伏工程中心南京大学物理学院
17
195
5.0
13.0
2
吴小山
南京大学光伏工程中心南京大学物理学院
36
180
6.0
12.0
3
谢正芳
南京大学光伏工程中心南京大学物理学院
2
8
1.0
2.0
4
单文光
南京大学光伏工程中心南京大学物理学院
2
8
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研究去脉
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期刊影响力
发光学报
主办单位:
中国物理学会发光分会
中科院长春光机所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-7032
CN:
22-1116/O4
开本:
大16开
出版地:
长春市东南湖大路16号
邮发代号:
12-312
创刊时间:
1970
语种:
chi
出版文献量(篇)
4336
总下载数(次)
7
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