CMOS离子敏场效应管SPICE模型

• 作者: 于峰崎 刘肃 韩富强
• 来源期刊: 传感器技术
• 学科: 工学
• 关键词: 离子敏场效应晶体管 器件模型 通用电路模拟程序
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 16-18,22
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 2174字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2005.10.006

摘要

完全用CMOS工艺实现离子敏场效应型晶体管(ISFET)成为可能,这种ISFET的栅极结构是由绝缘体、多晶硅、金属层叠起来,称之为多层栅结构.从ISFET的传感机理出发,通过分析金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的原理,利用通用电路模拟程序(SPICE)建立了这种多层栅结构ISFET的物理模型,并对其静态输入输出特性进行仿真,仿真结果和试验数据基本相符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘肃	兰州大学微电子系	68	261	9.0	11.0
2	于峰崎		3	11	2.0	3.0
3	韩富强	兰州大学微电子系	1	2	1.0	1.0