一种CMOS工艺离子敏场效应型晶体管的模型

• 作者: 于军琪 卫铭斐 陈登峰
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 离子敏场效应晶体管 器件模型 静态特性 动态特性
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 367-369
• 分类号: TN432
• 字数: 1309字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.04.004

摘要

采用CMOS工艺可以实现离子敏场效应型晶体管(ISFET),若在栅极氧化层之上保留多晶硅层,并通过引线使其与 外界的金属层相连作为悬浮的栅极,可实现悬浮栅结构ISFET.从ISFET的传感机理出发,根据表面基模型,利用HSPICE建 立了悬浮栅结构ISFET的物理模型.以该模型为研究对象,探讨了薄膜等效电阻、薄膜等效电容、互连线寄生电容和寄生电阻 等因素与动态特性中延迟时间和迟滞等因素的关系,并对其静态特性进行仿真,仿真结果和试验数据基本相符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于军琪	西安建筑科技大学信息与控制学院	128	556	12.0	16.0
2	陈登峰	西安建筑科技大学信息与控制学院	36	273	8.0	16.0
3	卫铭斐	西安建筑科技大学信息与控制学院	29	102	5.0	9.0