脉冲激光沉积法生长Nd:LUVO4薄膜

• 作者: 宁兆元 张怀金 方亮 李红霞 沈明荣 王晓霞 王继扬
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 脉冲激光沉积 Nd:LuVO4 薄膜
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 219-223
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2337字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.006

摘要

采用脉冲激光沉积技术在不同温度和氧分压下,在(100)Si片和抛光石英片上生长了一系列(200)面择优取向的Nd:LuVO4薄膜.利用X射线衍射分析了所制备薄膜的成膜情况,认为成膜较为适宜的温度为700℃,氧分压为10Pa.用棱镜耦合法测得了该薄膜的有效折射率为2.0452.利用扫描电镜(SEM)观察了Nd:LuVO4薄膜的表面形貌.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王继扬	山东大学晶体材料国家重点实验室	200	1444	21.0	30.0
2	宁兆元	苏州大学物理科学与技术学院	70	528	12.0	18.0
3	方亮	苏州大学物理科学与技术学院	23	132	5.0	10.0
4	王晓霞	山东大学晶体材料国家重点实验室	7	114	4.0	7.0
5	李红霞	山东大学晶体材料国家重点实验室	9	75	4.0	8.0
6	张怀金	山东大学晶体材料国家重点实验室	83	477	12.0	17.0
7	沈明荣	苏州大学物理科学与技术学院	24	104	6.0	8.0