脉冲激光沉积法生长Zn1-xMgxO薄膜

• 作者: 叶志镇 赵炳辉 邹璐 黄靖云
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Zn1-xMgxO薄膜 合金 X射线衍射 PL谱
• 年，卷（期）: 2002,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1291-1294
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 2706字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.12.011

摘要

采用脉冲激光沉积法,生长出没有组分偏析,晶体质量好的Zn1-xMgxO薄膜(x=0.2).研究了衬底温度对Zn0.8Mg0.2O薄膜晶体质量、晶粒度大小的影响,发现最佳衬底温度为650℃左右.对Zn0.8Mg0.2O薄膜进行了光致发光分析,发现相对ZnO晶体有0.4eV的蓝移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
3	黄靖云	浙江大学硅材料国家重点实验室	51	610	12.0	23.0
4	邹璐	浙江大学硅材料国家重点实验室	5	300	5.0	5.0