多晶硅太阳电池的氮化硅薄膜性能研究

• 作者: 任丙彦 勾宪芳 许颖 马丽芬
• 来源期刊: 河北工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 太阳电池 等离子体化学气相沉积 氮化硅 少子寿命
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: 27-30
• 页数: 4页
• 分类号: TK512
• 字数: 2069字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2373.2005.05.006

摘要

用等离子体化学气相沉积(PECYD)法,通过改变[SiH4:N2]/[NH3]的流量比沉积SiN薄膜.用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、反射谱,测试氮化硅薄膜的厚度、折射率、少子寿命、Si/N、氢含量、反射率.研究了多晶硅太阳电池沉积氮化硅薄膜的性能,结果发现:沉积温度350℃,沉积时间5 min,[SiH4:N2]/[NH3]=4:1时,沉积氮化硅硅片寿命高、氢含量高钝化效果好、反射率低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任丙彦	河北工业大学信息功能材料研究所	31	241	9.0	14.0
2	许颖		39	349	12.0	17.0
3	勾宪芳	河北工业大学信息功能材料研究所	3	46	3.0	3.0
7	马丽芬	河北工业大学信息功能材料研究所	4	30	3.0	4.0