多晶硅应变式传感器

• 来源期刊: 国外传感技术
• 学科: 工学
• 关键词: 应变式传感器 压阻效应 多晶硅 电压 偏移 剪切 电阻 应变状态 测量
• 年，卷（期）: gwcgjs_2005,（1）
• 页码范围: i004
• 页数: 1页
• 分类号: TN304

摘要

当硅处于应变状态时，不仅电阻发生变化，而且还会发生与电流方向垂直的电压，与霍尔测量时所发生的情况大致相同。产生这种偏移电压的原理是剪切压阻效应。