横向多晶硅p+p-n+结非致冷红外焦平面

• 作者: 唐成伟 梁平治 江美玲 陈二柱
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅p+p-n+结 非致冷红外焦平面 读出电路 CMOS工艺
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 器件
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.5
• 字数: 3236字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.z1.004

摘要

应用标准CMOS工艺,同时结合体硅微机械加工技术,研制成功横向多晶硅p+p-n+微测辐射热计单元;基于研制成功的微测辐射热计,设计了规模为128×128面阵的非致冷红外焦平面.采用标准CMOS工艺制作横向多晶硅p+p-n+结热敏响应元和读出电路;在CMOS工艺完成后,辅以与CMOS工艺兼容的体硅微机械加工工艺,制备微桥形式的热绝缘结构,从而方便地实现了CMOS读出电路与探测器阵列的单片集成.在3～5 μm红外波段,微测辐射热计的电压响应率为5.7×103 V/W,黑体探测率D·为1.2×108 cm·Hz1/2·W-1.焦平面采用行读出模式的结构,信号读出采用栅调制积分电路,输出级采用外接负载电阻的源极跟随电路,将探测器单元产生的信号按顺序串行单端输出.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁平治	中国科学院上海技术物理研究所	28	252	9.0	15.0
2	江美玲	中国科学院上海技术物理研究所	6	8	2.0	2.0
3	陈二柱	中国科学院上海技术物理研究所	5	81	3.0	5.0
4	唐成伟	中国科学院上海技术物理研究所	2	3	1.0	1.0