离子敏场效应晶体管宏模型的建立与仿真

• 作者: 代建玮 刘继周 杨振 颜永红 齐良颉
• 来源期刊: 传感器技术
• 学科: 工学
• 关键词: 离子敏场效应晶体管 表面基 器件模型
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 设计与制造
• 页码范围: 43-44,47
• 页数: 3页
• 分类号: TP212|TN386
• 字数: 1723字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2005.01.017

摘要

根据电化学表面基模型理论,提出了一种简单有效的能够描述离子敏场效应晶体管(ISFET)静态特性的仿真模型,借助此模型,对器件的电学行为进行了模拟,仿真结果与实验数据基本相符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	颜永红	湖南大学应用物理系	45	423	10.0	20.0
2	杨振	湖南大学应用物理系	4	9	2.0	2.0
6	齐良颉	湖南大学应用物理系	4	6	2.0	2.0
7	代建玮		1	1	1.0	1.0
11	刘继周	湖南大学应用物理系	1	1	1.0	1.0