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气相沉积
气相沉积
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摘要：
SY509-3-196 [篇名] A novel strainedsurface-channel pMOSFET Si{sub}0.7Ge{sub}0.3 with an ALDTiN/AI{sub}20{ sub}3/HfAIO{ sub }x/AI{ sub}20{ sub }3 gatestack；SY509-3-197 [篇名] A quantitative study of the nano-scratch behavior of boron and carbon nitride films；……
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内容分析
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文献信息
| 篇名 | 气相沉积 | ||
| 来源期刊 | 表面工程：英文版 | 学科 | 物理学 |
| 关键词 | 气相沉积 硅锗薄膜 生长工艺 碳氮薄膜 | ||
| 年，卷（期） | bmgcywb_2005,（3） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 44-46 | |
| 页数 | 3页 | 分类号 | O484.1 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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2005(0)
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研究主题发展历程
节点文献
气相沉积
硅锗薄膜
生长工艺
碳氮薄膜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
表面工程：英文版
主办单位：
机械中心图书馆
出版周期：
双月刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
北京市百万庄大街22号
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
192
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