微波管环境下场发射阵列阴极的工作稳定性研究

• 作者: 冯进军
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 场发射阵列 微波管 工作稳定性
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 16-19
• 页数: 4页
• 分类号: TN12|O462.4
• 字数: 4795字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2005.z1.004

摘要

场致发射阵列阴极在微波管中的应用无疑是微波真空电子器件的一场革命,但经过多年的研究和发展目前仍没有解决微波管环境下阵列阴极的工作稳定性和寿命问题.虽然国外也有一些利用这种冷阴极的行波管和预群聚速调四极管的实验,但都存在同样的寿命问题.本文对场致发射阵列阴极在微波管环境中的工作稳定性和失效机理进行了分析研究,主要原因是真空度、微波管的残余气氛、电子枪区域的高压打火和离子的回轰影响了阵列阴极的稳定性和寿命等,提出了场致发射阵列阴极在结构、发射体材料、处理工艺、整管排气封接过程等方面的改进方法,以使这种阴极能适应微波电真空器件的特殊环境.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯进军	北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国家级重点实验室	84	447	12.0	17.0