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一种2.4GHz 0.35μm CMOS Gilbert下变频器
一种2.4GHz 0.35μm CMOS Gilbert下变频器
作者:
崔福良
洪志良
马德群
黄林
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CMOS工艺
射频电路
下变频器
摘要:
利用0.35μm CMOS工艺实现了一种用于低中频接收机的Gilbert型下变频器.其中,混频器的输出级采用折叠级联输出,射频信号、本振信号和中频信号的频率分别为2.452GHz,2.45GHz和2MHz.测试表明:在3.3V电源电压条件下,整个混频器电路消耗的电流约为4mA,转换增益超过6dB,输入1dB压缩点约为-11dBm.
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汽车
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无线通信
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内容分析
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文献信息
篇名
一种2.4GHz 0.35μm CMOS Gilbert下变频器
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
CMOS工艺
射频电路
下变频器
年,卷(期)
2005,(5)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1045-1048
页数
4页
分类号
TN43
字数
2333字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2005.05.037
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
洪志良
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
161
1248
18.0
29.0
2
黄林
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
14
79
6.0
8.0
3
崔福良
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
9
51
5.0
7.0
4
马德群
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
7
63
5.0
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参考文献(1)
二级参考文献(1)
1999(2)
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二级参考文献(2)
2000(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2003(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2005(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2010(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
CMOS工艺
射频电路
下变频器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
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