等轴应变作用下Cu,Al薄膜的取向择优生长

• 作者: 周浪 周耐根 宋固全 宋照东
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Cu膜 Al膜 择优生长 分子动力学
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 页码范围: 809-813
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3731字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2005.08.006

摘要

用分子动力学方法模拟了Cu双晶和Al双晶薄膜的〈111〉生长,模拟时假定在薄膜平面内保持恒定的等轴双向应变,薄膜中两晶粒的能量计算表明:不同晶粒的能量存在差异,能量较低的晶粒在沉积中择优生长,逐渐取代能量较高的晶粒,Cu膜择优生长速率显著高于Al膜;两种薄膜择优生长的机制完全不同,Cu膜中处于不利位向的晶粒通过孪晶过渡转变为择优取向,转变完成、晶界湮灭后薄膜中残留的缺陷为位错;而Al膜则是通过无序结构重结晶实现上述转变,转变完成、晶界湮灭后薄膜中残留的缺陷为间隙原子.文中对上述择优生长驱动力的来源、以及在纳米多晶中的重要性进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周耐根	南昌大学材料科学与工程学院	34	179	7.0	12.0
2	周浪	南昌大学材料科学与工程学院	110	1018	16.0	26.0
3	宋固全	南昌大学材料科学与工程学院	48	246	8.0	12.0
4	宋照东	南昌大学材料科学与工程学院	3	2	1.0	1.0