CVD法制备Sb掺杂SnO2薄膜的结构与性能研究

• 作者: 刘起英 汪建勋 沃银花 沈鸽 翁文剑 谢莲革 韩高荣
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相沉积(CVD) Sb掺杂SnO2薄膜 掺杂量
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 1824-1828
• 页数: 5页
• 分类号: TB43|TB34
• 字数: 2971字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2005.11.037

摘要

采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温度为665℃时能够制得结晶性能较好的多晶薄膜,XPS分析确定掺杂后的Sb以Sb5+离子形式存在.讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率和反射率等薄膜性质的影响,结果表明,当Sb掺杂量为2%时取得最小方块电阻为7.8 Ω/□,在可见光区薄膜的透射率和反射率随着Sb掺杂量的增加呈下降趋势.最后探讨了Sb掺杂SnO2薄膜的显色特性,认为Sb5+离子的本征吸收是薄膜显色的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩高荣	浙江大学硅材料国家重点实验室	187	1971	24.0	35.0
2	翁文剑	浙江大学硅材料国家重点实验室	79	1088	20.0	30.0
3	沃银花	浙江大学硅材料国家重点实验室	21	155	8.0	11.0
4	汪建勋	浙江大学硅材料国家重点实验室	20	263	8.0	16.0
5	沈鸽	浙江大学硅材料国家重点实验室	46	783	15.0	27.0
6	谢莲革	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	35	2.0	2.0
7	刘起英		1	22	1.0	1.0