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一种改进的BiCMOS工艺欠压锁存电路的设计
欠压锁存
带隙基准
滞回区间
BiCMOS
基于0.5 μm BCD工艺的欠压锁存电路设计
欠压锁存
电源管理
带隙基准
滞回区间
BCD工艺
Protel99SE在过压欠压保护电路设计中的应用
仿真分析
瞬态特性分析
直流扫描分析
Protel 99 SE
基于RHBD技术CMOS锁存器加固电路的研究
CMOS
抗辐射加固
RHBD技术
DICE
D-Latch
阈值LET
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 欠压锁存和短路保护电路
来源期刊 电子世界 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2005,(6) 所属期刊栏目 新型元器件
研究方向 页码范围 50-51
页数 2页 分类号 TN7
字数 2717字 语种 中文
DOI
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传播情况
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期刊影响力
电子世界
半月刊
1003-0522
11-2086/TN
大16开
北京市
2-892
1979
chi
出版文献量(篇)
36164
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96
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