高斯电子束曝光系统

• 作者: 刘明 叶甜春 杨清华 陈大鹏
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束曝光 纳米器件 掩模 邻近效应
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 专题报道
• 页码范围: 42-45
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3552字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2005.02.009

摘要

电子束光刻技术是纳米级加工技术的主要手段,在纳米器件加工、掩模制造、新器件新结构加工中扮演举足轻重的角色.虽然现在最先进的电子束聚焦技术可以得到几个纳米的电子束斑,但是由于邻近效应问题,依然很难使用电子束光刻技术得到接近其理论极限的纳米尺度图形,对电子束曝光系统的基本原理及其邻近效应校正技术进行了研究,并得到一些比较理想的曝光结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术重点实验室	207	1983	20.0	38.0
2	叶甜春	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术重点实验室	200	911	14.0	18.0
3	陈大鹏	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术重点实验室	79	466	10.0	17.0
4	杨清华	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术重点实验室	7	24	3.0	4.0