多孔硅内部残余应力的研究

• 作者: 亢一澜 崔梦 田斌 胡明 雷振坤
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 化学刻蚀 孔隙率 残余应力 微裂纹
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 单晶、薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 47-49
• 页数: 3页
• 分类号: TN402
• 字数: 1543字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2005.01.015

摘要

多孔硅在形成过程中由于内部产生巨大的拉伸应力,在裂纹的中心部位拉伸应力可达到0.92 GPa,导致在硅晶体内部较脆弱的部位(如晶界附近)形成微裂纹,多孔硅沿着硅表面缺陷和裂纹区生长.随着刻蚀时间的增加,多孔硅孔隙率增加,拉伸应力进一步增加.正是由于这种残余应力的存在导致了多孔硅发生龟裂现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	亢一澜	天津大学机械学院力学系	56	896	16.0	29.0
2	胡明	天津大学电子信息工程学院电子科学与技术系	139	1336	19.0	28.0
3	雷振坤	天津大学机械学院力学系	7	107	5.0	7.0
4	崔梦	天津大学电子信息工程学院电子科学与技术系	10	123	7.0	10.0
5	田斌	天津大学电子信息工程学院电子科学与技术系	14	269	9.0	14.0