InP单晶材料现状与展望

• 作者: 周晓龙 孙同年 孙聂枫 陈秉克
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 液封直拉法 气压控制直拉法 垂直梯度凝固 单晶材料
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 10-14,23
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.053
• 字数: 5460字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2005.10.003

摘要

介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ/PC-LEC)/垂直梯度凝固技术(VGF)/垂直布里奇曼技术(VB)等.对这些方法进行了分析和对比,指出各种方法的优势和发展方向.还讨论了大直径InP单晶生长技术的发展和关键因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙聂枫	河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室	4	31	3.0	4.0
2	孙同年	河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室	3	24	2.0	3.0
3	周晓龙	河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室	1	19	1.0	1.0
4	陈秉克	河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室	1	19	1.0	1.0