半绝缘InP长单晶的生长

• 作者: 周晓龙 孙同年 孙聂枫 张伟玉 杨瑞霞 毛陆虹 郭维廉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InP 孪晶 直径
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 186-189
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3028字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.045

摘要

通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个关键因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为50mm,长190mm和直径80～100mm,长150mm的半绝缘InP单晶.