半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器

• 作者: 周帆 朱洪亮 段俐宏 王圩 田慧良 白云霞 许国阳 颜学进
• 来源期刊: 半导体学报
• 关键词: 激光器 InP 优化生长
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 188-191
• 页数: 4页
• 字数: 1452字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.02.016

摘要

研究了低压MOCVD下生长压力和Fe源/In源摩尔流量比对半绝缘InP电阻率的影响.得到了用LP-MOCVD生长掺Fe半绝缘InP的优化生长条件.在优化生长条件下得到的Fe-InP的电阻率为2.0×108Ω·cm，击穿电场4×104V/cm.用半绝缘Fe-InP掩埋1.55tm多量子阱激光器，激光器的高频调制特性明显优于反向pn结掩埋的激光器，3dB调制带宽达4.8GHz.