P型氮化镓表面的X射线光电子能谱研究

• 作者: 李向阳 汤英文 游达 许金通 赵德刚 龚海梅
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 氧化 光电子能谱分析
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 氮基紫外器件与材料
• 页码范围: 883-884,893
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.2|O472.+1
• 字数: 1854字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2005.11.024

摘要

文章研究了P型氮化镓材料表面自然氧化,故意氧化以及盐酸处理等三种不同情况下的X射线光电子能谱(XPS).结果发现800℃下在空气中故意氧化6min后,P型氮化镓材料表面的镓(Ga2p3/2)峰出现较大移动,向高能端移动了0.88eV(与盐酸处理的样品相比),O1s峰向低能方向移动了0.9eV,且镓氮原子含量比最大;在空气中自然氧化和盐酸处理的两个样品峰的移动很小,各个峰的移动大约在0.1eV左右,但是用盐酸处理后的样品的含氧量有所下降,且盐酸处理的样品的镓氮原子含量比最小,镓氮的原子含量比小有利于形成镓空位,而镓空位是受主,这样镓氮原子含量比越小越有利于形成P型氮化镓欧姆接触.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵德刚	中国科学院半导体研究所	42	214	9.0	12.0
2	李向阳	传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理所	4	6	1.0	2.0
3	龚海梅	传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理所	11	35	4.0	5.0
4	许金通	传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理所	2	3	1.0	1.0
5	汤英文	传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理所	2	7	1.0	2.0
6	游达	传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理所	2	7	1.0	2.0