砷化镓半导体表面自然氧化层的X射线光电子能谱分析

• 作者: 严如岳 任殿胜 李雨辰 王为
• 来源期刊: 分析化学
• 学科: 化学
• 关键词: 砷化镓 X射线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 1191-1194
• 页数: 4页
• 分类号: O65
• 字数: 2937字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3820.2003.10.009

摘要

用X射线光电子能谱(XPS),测量了Ga3d和As3d光电子峰的结合能值,指认了砷化镓(GaAs)晶片表面的氧化物组成,计算了表面氧化层的厚度,定量分析了表面的化学组成;比较了几种不同的砷化镓晶片表面的差异.结果表明:砷化镓表面的自然氧化层主要由Ga2O3、As2O5、As2O3和单质As组成,表面镓砷比明显偏离理想的化学计量比,而且,氧化层的厚度随镓砷比的增大而增加;溶液处理后,砷化镓表面得到了改善.讨论了可能的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王为	天津大学化工学院	125	1597	22.0	34.0
2	任殿胜	天津大学化工学院	6	42	5.0	6.0
6	李雨辰		3	16	2.0	3.0
7	严如岳		3	16	2.0	3.0