离子束溅射法薄膜生长中结瘤微缺陷的生长机理

• 作者: 张东平 范正修 范瑞瑛 邵建达 齐红基
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 结瘤微缺陷 锆薄膜 扩散限制聚集模型
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1385-1389
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2817字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.067

摘要

用离子束溅射法制备了锆单层薄膜.用设计新型夹具和预置种子方法,对薄膜中结瘤微缺陷的生长过程进行了研究.在高分辨率光学显微镜和扫描电子显微镜下观察发现,结瘤在其生长初期呈现出分形的特征.用分子动力学和薄膜生长的扩散限制聚集模型,薄膜中结瘤微缺陷成核时的分形现象得到了很好的解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵建达	中国科学院上海光学精密机械研究所	212	2131	21.0	29.0
2	范瑞瑛	中国科学院上海光学精密机械研究所	15	377	9.0	15.0
3	范正修	中国科学院上海光学精密机械研究所	203	2312	23.0	32.0
4	张东平	中国科学院上海光学精密机械研究所	8	84	5.0	8.0
8	齐红基	中国科学院上海光学精密机械研究所	40	299	11.0	16.0