直流磁控溅射磁性γ′-Fe4N膜生长机理研究

• 作者: 于陕升 冯守华 徐娓 杨开宇 王欣 田宏伟 郑伟涛
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: γ′-Fe4N 生长普适类型 直流磁控溅射 磁性
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 页码范围: 1318-1321
• 页数: 4页
• 分类号: O484.5
• 字数: 3471字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2004.07.024

摘要

采用直流磁控溅射法研究了磁控溅射沉积氮化铁薄膜的生长机制, 并归属了其生长普适类型. 结果表明, 磁控溅射法生长的薄膜表面具有自仿射分形特性, 而且表面存在一定数量的空位或孔洞, 粒子呈现悬臂沉积生长现象. Γ′-Fe4N单相薄膜的生长指数β≈0.61±0.02, 静态标度指数α≈0.57±0.20, 各指数之间的关系为α+α/β≈2, 薄膜生长属于KPZ普适类型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑伟涛	吉林大学材料与工程学院	48	245	8.0	13.0
2	王欣	吉林大学材料与工程学院	171	884	14.0	22.0
3	田宏伟	吉林大学材料与工程学院	9	108	5.0	9.0
4	杨开宇	吉林大学电子科学工程学院	20	110	6.0	9.0
5	于陕升	吉林大学材料与工程学院	7	47	4.0	6.0